COUPLEUR DIRECTIF A COMPOSANTS LOCALISES

F5PBG 30/8/2011, 09:01

Une des causes de mortalité des amplificateurs de puissance à base de transistors LDMOS est
la surcharge à l'entrée. En effet le gain de ces transistors dépasse les 20 dB.

Prenons par exemple le transistor MRF6VP11KH de Freescale.
Il a un gain de 26 dB pour 1000W de sortie à 144 MHz.
Cela veut dire que la puissance nécessaire à l'entrée doit être de 2.5W. Si
on utilise un transceiver qui sort habituellement 100 W, on voit le risque encouru.

D'autre part, le réglage de la puissance de sortie du transceiver se fait
généralement par un système de CAG dont le temps de réaction n'est négligeable.
Sur certains transceivers réglés pour une puissance de sortie faible, on
observe une pointe maximum à la puissance max pendant le temps de
réaction du système de limitation.

SM5BSZ a parfaitement décrit le problème : http://www.sm5bsz.com/dynrange/alc_ic706.htm

Ceci peut être fatal à l'amplificateur placé derrière. Dans ce cas, seul un
atténuateur de puissance qui dissipera l'excès peut régler le problème.

Ces atténuateurs sont chers et difficile à se procurer à la bonne valeur de l'atténuation nécessaire.

F6BKI à attiré mon attention sur un article de ZP4KFX : http://www.qsl.net/zp4kfx/Antenne/IbrCon/Ibrido.html

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